Álvaro D. Latorre Rey: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (10)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Physics-Based Breakdown Voltage Optimization of Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Latorre-Rey, Alvaro D., Mudholkar, Mihir, Quddus, Mohammed Tanvir

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.08 MB

english, 2018

2

Indirect fitting procedure to separate the effects of mobility degradation and source-and-drain resistance in MOSFET parameter extraction

Adelmo Ortiz-Conde, Francisco J. García-Sánchez, Juan Muci, Denise C. Lugo Muñoz, Álvaro D. Latorre Rey, Ching-Sung Ho, Juin J. Liou

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 367 KB

english, 2009

3

[IEEE 2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) - Miami, FL (2017.10.22-2017.10.25)] 2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) - Electro-thermal characterization of GaN HEMT on Si through selfconsistent energy balance-cellular Monte Carlo device simulations

Latorre-Rey, Alvaro D., Merrill, Ky, Albrecht, John D., Saraniti, Marco

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.57 MB

english, 2017

4

A Charge-Based Model of Junction Barrier Schottky Rectifiers

Latorre-Rey, Alvaro D., Mudholkar, Mihir, Quddus, Mohammed T., Salih, Ali

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 717 KB

english, 2018

5

Assessment of Self-Heating Effects Under Lateral Scaling of GaN HEMTs

Latorre-Rey, Alvaro D., Merrill, Ky, Albrecht, John D., Saraniti, Marco

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.08 MB

english, 2019

6

A new integration-based procedure to separately extract series resistance and mobility degradation in MOSFETs

Muci, Juan, Muñoz, Denise C Lugo, Rey, Álvaro D Latorre, Ortiz-Conde, Adelmo, García-Sánchez, Francisco J, Ho, Ching-Sung, Liou, Juin J

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2009

7

Hot electron generation under large-signal radio frequency operation of GaN high-electron-mobility transistors

Latorre-Rey, Alvaro D., Sabatti, Flavio F. M., Albrecht, John D., Saraniti, Marco

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.12 MB

english, 2017

8

[IEEE 2017 75th Device Research Conference (DRC) - South Bend, IN, USA (2017.6.25-2017.6.28)] 2017 75th Annual Device Research Conference (DRC) - Generation of hot electrons in GaN HEMTs under RF Class A and AB PAs

Latorre-Rey, Alvaro D., Albrecht, John D., Saraniti, Marco

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 545 KB

english, 2017

9

Erratum: “Hot electron generation under large-signal radio frequency operation of GaN high-electron-mobility transistors” [Appl. Phys. Lett. 111 , 013506 (2017)]

Latorre-Rey, Alvaro D., Sabatti, Flavio F. M., Albrecht, John D., Saraniti, Marco

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 220 KB

english, 2017

10

A π-Shaped Gate Design for Reducing Hot-Electron Generation in GaN HEMTs

Latorre-Rey, Alvaro D., Albrecht, John D., Saraniti, Marco

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.08 MB

english, 2018